SPD09P06PLG和SPU09P06PL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD09P06PLG SPU09P06PL SPD09P06PL

描述 60V,-9.7A,P沟道功率MOSFETSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -9.70 A -9.70 A

极性 P-Channel P-CH P-CH

耗散功率 - 42 W 42W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 9.70 A 9.7A

输入电容(Ciss) - 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 42 W 42W (Tc) 42W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 400 mΩ -

漏源击穿电压 - 60 V -

上升时间 - 168 ns -

下降时间 - 89 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 2.38 mm -

高度 2.41 mm 6.22 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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