SPD09P06PL和SPU09P06PL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD09P06PL SPU09P06PL 2SJ230

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorP-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 TO-252-3 TO-251-3 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -9.70 A -9.70 A -

极性 P-CH P-CH -

耗散功率 42W (Tc) 42 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 9.7A 9.70 A -

输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc) -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 400 mΩ -

漏源击穿电压 - 60 V -

上升时间 - 168 ns -

下降时间 - 89 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-251-3 -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.38 mm -

高度 - 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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