SI3445DV

SI3445DV图片1
SI3445DV中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 24.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.6 W

栅源击穿电压 ±8.00 V

上升时间 11 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSOT-6

外形尺寸

封装 SSOT-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3445DV
型号: SI3445DV
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
替代型号SI3445DV
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