STS10PF30L参数规格_中文资料_数据手册PDF

STS10PF30L概述

P沟道30V - 0.012Ohm - 10A型SO-8的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET

P-Channel 30V 10A Tc 2.5W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

贸泽:
MOSFET P-Ch 30 Volt 10 Amp

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

STS10PF30L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -10.0 A

漏源极电阻 14.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 87 ns

输入电容Ciss 2300pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STS10PF30L引脚图与封装图

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型号： STS10PF30L

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：P沟道30V - 0.012Ohm - 10A型SO-8的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET

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