STS10PF30L和TPS1100D

对比图

型号 STS10PF30L TPS1100D TPS1100DR

描述 P沟道30V - 0.012Ohm - 10A型SO-8的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -15.0 V -

额定电流 -10.0 A -1.60 A -

输出电压 - -15.0 V -

漏源极电阻 14.0 mΩ 0.18 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 791 mW 0.791 W

漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 15 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A -1.60 A 1.6A

上升时间 87 ns 10 ns 10 ns

额定功率(Max) 2.5 W 791 mW 791 mW

下降时间 27 ns 2 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 791mW (Ta) 791mW (Ta)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±16.0 V - -

输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.65 mm - 1.75 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR -