对比图
型号 STS10PF30L TPS1100DR TPS1100D
描述 P沟道30V - 0.012Ohm - 10A型SO-8的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 - 1 -
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 0.791 W 791 mW
漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 1.6A -1.60 A
上升时间 87 ns 10 ns 10 ns
额定功率(Max) 2.5 W 791 mW 791 mW
下降时间 27 ns 2 ns 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 791mW (Ta) 791mW (Ta)
额定电压(DC) -30.0 V - -15.0 V
额定电流 -10.0 A - -1.60 A
漏源极电阻 14.0 mΩ - 0.18 Ω
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±16.0 V - -
输入电容(Ciss) 2300pF @25V(Vds) - -
输出电压 - - -15.0 V
长度 5 mm 4.9 mm -
宽度 4 mm 3.91 mm -
高度 1.65 mm 1.75 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
香港进出口证 - - NLR