STB15NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB15NM60N概述

N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 600 V 14A（Tc） 125W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK

贸泽:
MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK / N-Channel 600 V 14A Tc 125W Tc Surface Mount D2PAK

STB15NM60N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1250pF @50VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB15NM60N

型号： STB15NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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