STB15NM60N和STB15NM60ND

对比图

型号 STB15NM60N STB15NM60ND STI15NM60ND

描述 N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.27 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 125 W 125 W 125W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 14A 14A

上升时间 14 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 1250pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 125 W -

下降时间 30 ns 28 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)

长度 10.4 mm 10.75 mm -

宽度 9.35 mm 10.4 mm -

高度 4.6 mm 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -