对比图
型号 STB15NM60N STI15NM60ND STF23NM60N
描述 N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 125 W 125W (Tc) 35 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 14A 9.50 A
上升时间 14 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
下降时间 30 ns - 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 35W (Tc)
长度 10.4 mm - 10.4 mm
宽度 9.35 mm - 4.6 mm
高度 4.6 mm - 9.3 mm
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free