SST26WF080B-104I/SN

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SST26WF080B-104I/SN概述

MICROCHIP  SST26WF080B-104I/SN  闪存, 或非, 8 Mbit, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, SOIC, 8 引脚

SST26WF040B/080B/016B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 闪存

SST26WFxxxB 系列产品是串行四路输入/输出 SQI 闪存设备,提供 4、8 和 16 位型号。 这些设备支持与串行外围接口 SPI 协议的全命令集兼容型,并且实现最小延迟 Execute-in-Place XIP 功能,SRAM 上无需代码阴影。 SST26WFxxxB 设备具有低功耗,使其适用于便携式蓄电池供电的应用。

### 特点

工作电压范围 1.6 至 1.95V

最大时钟频率 104 MHz

串行接口体系结构

低功耗:有源读取电流:15 mA(104 MHz 时典型),待机电流:10 μA(典型)

脉冲串模式:连续线性脉冲串,8/16/32/64 字节线性脉冲串,带坏绕。

页面编程:每页 256 字节,采用 x1 或 x4 模式

快速擦除时间:扇形/块擦除 18 ms(典型)、25 ms(最大);芯片擦除 35 ms(典型)、50 ms(最大)

灵活的擦除能力

End-of-Write 检测

Write-Suspend

软件保护

软件重置 RST 模式

SFDP(串行闪存可发现参数)

SST26WF080B-104I/SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.65V min

工作电压 1.65V ~ 1.95V

供电电流 20 mA

针脚数 8

时钟频率 104 MHz

内存容量 1000000 B

存取时间Max 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 3A991.b.1.a

数据手册

在线购买SST26WF080B-104I/SN
型号: SST26WF080B-104I/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  SST26WF080B-104I/SN  闪存, 或非, 8 Mbit, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, SOIC, 8 引脚
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