SI2304BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.105 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 12.5 ns
输入电容Ciss 225pF @15VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TO-236
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI2304BDS-T1-GE3
型号： SI2304BDS-T1-GE3
描述：VISHAY SI2304BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236
替代型号SI2304BDS-T1-GE3
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