SI2304BDS-T1-E3和SI2304BDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2304BDS-T1-E3 SI2304BDS-T1-GE3 IRLML2030TRPBF

描述 VISHAY  SI2304BDS-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道VISHAY  SI2304BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236INFINEON  IRLML2030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.055 Ω 0.105 Ω 0.08 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.08 W 750 mW 1.3 W

阈值电压 1.5 V 3 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.20 A 3.20 A 2.7A

上升时间 12.5 ns 12.5 ns 3.3 ns

输入电容(Ciss) 225pF @15V(Vds) 225pF @15V(Vds) 110pF @15V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns 2.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 1.3W (Ta)

额定功率 - - 1.3 W

输入电容 - - 110 pF

额定功率(Max) - - 1.3 W

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.6 mm - 1.4 mm

高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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