SI2304BDS-T1-E3

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SI2304BDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.055 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.08 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 12.5 ns

输入电容Ciss 225pF @15VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2304BDS-T1-E3
型号: SI2304BDS-T1-E3
描述:VISHAY  SI2304BDS-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道
替代型号SI2304BDS-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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