对比图
型号 IRLML0030TRPBF SI2304BDS-T1-E3 ZXMN3B01FTA
描述 INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VVISHAY SI2304BDS-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道ZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 1.3 W - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.022 Ω 0.055 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.08 W 625 mW
阈值电压 1.7 V 1.5 V 700 mV
输入电容 382 pF - 258 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.3A 3.20 A 2.00 A
上升时间 4.4 ns 12.5 ns 3.98 ns
输入电容(Ciss) 382pF @15V(Vds) 225pF @15V(Vds) 258pF @15V(Vds)
下降时间 4.4 ns 15 ns 5.27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 750 mW 806 mW
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 2.00 A
通道数 - - 1
栅电荷 - - 2.93 nC
漏源击穿电压 - - 30 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
额定功率(Max) - - 625 mW
长度 3.04 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.6 mm 1.4 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -