VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
The is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- .
- 100% Rg Tested
- .
- 100% UIS Tested
- .
- ±20V Gate-source voltage
欧时:
### N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
SI2308BDS 系列 N沟道 20 V 0.156 Ohm 功率Mosfet 表面贴装 - TO-236-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.09 W
阈值电压 3 V
输入电容 190pF @30V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.30 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 190pF @30VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.09 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2308BDS-T1-E3 威世 | 类似代替 | SI2308BDS-T1-GE3和SI2308BDS-T1-E3的区别 |
IRLML0060TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2308BDS-T1-GE3和IRLML0060TRPBF的区别 |