对比图
型号 IRLML0060TRPBF SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-E3
描述 INFINEON IRLML0060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 VN通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFETVISHAY SI2308BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.078 Ω 0.13 Ω 0.13 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.25 W 1.09 W 1.66 W
阈值电压 2.5 V 3 V 1 V
输入电容 290 pF - 190pF @30V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60 V
上升时间 6.3 ns 16 ns 16 ns
热阻 - - 115℃/W (RθJA)
下降时间 4.2 ns 11 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
连续漏极电流(Ids) 2.7A 2.30 A -
正向电压(Max) - 1.2 V -
输入电容(Ciss) 290pF @25V(Vds) 190pF @30V(Vds) -
额定功率(Max) 1.25 W 1.66 W -
耗散功率(Max) 1.25W (Ta) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) -
额定功率 1.25 W - -
长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active Active -
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -