SI8457DB-T1-E1

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SI8457DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.7 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

封装 MicroFoot-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI8457DB-T1-E1
描述:VISHAY  SI8457DB-T1-E1  晶体管, 场效应管, MOSFET, P沟道, -12V, -10.2A, 微型FOOT-4

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