VISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
**Features:
**
* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition
* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated
* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life
* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile
* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
**Applications:
**
* Load/Power Switching in Portable Devices
贸泽:
MOSFET 30V 13.5A 0.0085Ohm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单通道 N 沟道 30 V 0.0085 ohm 表面贴装 功率 MOSFET - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4420BDY-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 9.5 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 8
正向电压 750 mV
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 11 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI4420BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF8714PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4420BDY-T1-E3和IRF8714PBF的区别 |