对比图
型号 IRF8714PBF SI4420BDY-T1-E3 STS12NF30L
描述 INFINEON IRF8714PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 VVISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8STMICROELECTRONICS STS12NF30L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 12.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0087 Ω 0.007 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 1.4 W 2.5 W
阈值电压 1.8 V 3 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 14A - 12.0 A
上升时间 9.9 ns 11 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 1020pF @15V(Vds) - 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
下降时间 5 ns 12 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 1400 mW 2500 mW
额定功率 2.5 W - -
正向电压 - 750 mV -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm 1.55 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17