SIA426DJ-T1-GE3

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SIA426DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0361 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1020pF @10VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SC-70

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA426DJ-T1-GE3
型号: SIA426DJ-T1-GE3
描述:N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V D-S MOSFET

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