SI5476DU-T1-GE3

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SI5476DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK

外形尺寸

封装 PowerPAK

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SI5476DU-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5476DU-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V

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