VISHAY SI7884BDP-T1-GE3. 晶体管, N沟道
The is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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- 100% Rg Tested
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- 100% UIS Tested
针脚数 8
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 46 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 58.0 A
上升时间 14 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIR422DP-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7884BDP-T1-GE3和SIR422DP-T1-GE3的区别 |