SIR826ADP-T1-GE3

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SIR826ADP-T1-GE3概述

VISHAY  SIR826ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1.2 V

The is a 80V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in primary side switching and DC/AC inverters applications and also used in synchronous rectification circuits.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
SIR826ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 80 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR826ADP-T1-GE3
型号: SIR826ADP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR826ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 80 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1.2 V

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