VISHAY SI7790DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 40V, 50A, SOIC, 整卷
The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC converter applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 34 ns
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7790DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIR418DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7790DP-T1-GE3和SIR418DP-T1-GE3的区别 |