SI7439DP-T1-E3概述
VISHAY SI7439DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -150 V, 0.073 ohm, -10 V, -4 V
The is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.
- .
- Ultra-low ON-resistance
- .
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- .
- Avalanche tested
- .
- 100% Rg tested
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
SI7439DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.073 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.9 W
漏源极电压Vds -150 V
连续漏极电流Ids -5.20 A
上升时间 46 ns
下降时间 64 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7439DP-T1-E3
型号： SI7439DP-T1-E3
描述：VISHAY SI7439DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -150 V, 0.073 ohm, -10 V, -4 V