SI2365EDS-T1-GE3

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SI2365EDS-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

**

* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23


Allied Electronics:
SI2365EDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 20 V, 3-Pin TO-236


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin TO-236 T/R


富昌:
单 P沟道 20 V 32 mOhm 1.17 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23


Newark:
# VISHAY  SI2365EDS-T1-GE3  MOSFET, P-CH, -20V, -5.9A, SOT-23 New


儒卓力:
**P-CHANNEL-FET 5,9A 20V SOT23 **


SI2365EDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0265 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.7 W

上升时间 21 ns

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 1.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2365EDS-T1-GE3
型号: SI2365EDS-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI2365EDS-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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