P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Switch Mode Power Supplies**
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* Personal Computers and Servers**
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* Telecom Bricks
* VRMs and POL
欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23
Allied Electronics:
SI2365EDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.7 A, 20 V, 3-Pin TO-236
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin TO-236 T/R
富昌:
单 P沟道 20 V 32 mOhm 1.17 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23
Newark:
# VISHAY SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET, P-CH, -20V, -5.9A, SOT-23 New
儒卓力:
**P-CHANNEL-FET 5,9A 20V SOT23 **
漏源极电阻 0.0265 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.7 W
上升时间 21 ns
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 1.7 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
TP0101K-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI2365EDS-T1-GE3和TP0101K-T1-E3的区别 |
TP0101K-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI2365EDS-T1-GE3和TP0101K-T1-GE3的区别 |