对比图
型号 SI2365EDS-T1-GE3 TP0101K-T1-E3 TP0101K-T1-GE3
描述 P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY TP0101K-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mVP通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23
安装方式 Surface Mount - -
漏源极电阻 0.0265 Ω 420 mΩ 0.42 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.7 W 350 mW 350 mW
上升时间 21 ns - 30 ns
下降时间 14 ns - 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -50 ℃ - -
耗散功率(Max) 1.7 W - -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 700 mV -
栅电荷 - 1.40 nC -
漏源极电压(Vds) - 20 V -
栅源击穿电压 - ±8.00 V -
连续漏极电流(Ids) - -580 mA -
封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23
长度 3.04 mm - -
宽度 1.6 mm - -
高度 1.02 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -