SI7308DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.072 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 665pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3200 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SI7308DN-T1-E3
型号： SI7308DN-T1-E3
描述：VISHAY SI7308DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 6 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 3 V 新
替代型号SI7308DN-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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