SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3图片1
SI4668DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 16.2 A

封装参数

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4668DY-T1-GE3
型号: SI4668DY-T1-GE3
描述:MOSFET 25V 16.2A 5W 10.5mohm @ 10V

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