SQJ422EP-T1-GE3概述
VISHAY SQJ422EP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- AEC-Q101 qualified
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- Halogen-free
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- -55 to 175°C Operating temperature range
SQJ422EP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Industrial, Automotive, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SQJ422EP-T1-GE3
型号： SQJ422EP-T1-GE3
描述：VISHAY SQJ422EP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V