漏源极电阻 65.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.30 W
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -3.60 A to 3.60 A
封装 ChipFET-8
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
