SIR644DP-T1-GE3

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SIR644DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIR644DP-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

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