SUB75P03-07-E3

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SUB75P03-07-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

漏源极电阻 0.0055 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 187 W

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SUB75P03-07-E3
描述:P通道30 -V ( D- S) 175℃ MOSFET P-Channel 30-V D-S 175 °C MOSFET

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