SI2327DS-T1-GE3

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SI2327DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.45 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -200 V

连续漏极电流Ids -490 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2327DS-T1-GE3
型号: SI2327DS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2327DS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 490mA, TO-236
替代型号SI2327DS-T1-GE3
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