对比图
型号 SI2325DS-T1-GE3 SI2327DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-E3
描述 VISHAY SI2325DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 VVISHAY SI2327DS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 490mA, TO-236VISHAY SI2325DS-T1-E3 场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23 TO-236
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1 Ω 2.45 Ω 1.3 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 750 mW 750 mW 750 mW
漏源极电压(Vds) -150 V -200 V -150 V
连续漏极电流(Ids) -690 mA -490 mA -690 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 750 mW - 0.75 W
高度 1.02 mm - 1.02 mm
封装 SOT-23 SOT-23 TO-236
长度 - - 3.04 mm
宽度 - - 1.4 mm
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC