SI8402DB-T1-E1

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SI8402DB-T1-E1概述

20 -V的N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET 20-V N-Channel 1.8-V G-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.3A 4-Pin Micro Foot T/R


Allied Electronics:
20-V N-CHANNEL 1.8-V G-S MOSFET


SI8402DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.043 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.47 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

外形尺寸

长度 1.6 mm

高度 0.36 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8402DB-T1-E1
型号: SI8402DB-T1-E1
描述:20 -V的N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET 20-V N-Channel 1.8-V G-S MOSFET

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