SI7120DN-T1-E3

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SI7120DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 60.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 12 ns

下降时间 12 ns

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7120DN-T1-E3
型号: SI7120DN-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 6.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

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