SIR432DP-T1-GE3

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SIR432DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0255 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 28.4 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIR432DP-T1-GE3
描述:VISHAY SIR432DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 28.4A, 100V, 0.0255Ω, 10V, 4V

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