SI4860DY-T1-E3

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SI4860DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4860DY-T1-E3
型号: SI4860DY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC N T/R

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