STB80NF55-08-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB80NF55-08-1概述

N沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

Description

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ Standard threshold drive

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

STB80NF55-08-1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 85.0 ns

输入电容Ciss 3850pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买STB80NF55-08-1

型号： STB80NF55-08-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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