对比图
型号 STB80NF55-08-1 STU60N55F3 STP60N55F3
描述 N沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFETN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-220-3
耗散功率 300W (Tc) 110 W 110 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
上升时间 85.0 ns 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 3850pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 110 W
下降时间 - 11.5 ns 11.5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 32.0 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 0.0065 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 4 V -
漏源击穿电压 - 55 V -
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-220-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99