对比图
型号 IPB77N06S3-09 STB80NF55-08-1 IPB80N06S3L-05
描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorN沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3-2 TO-262-3 TO-263-3-2
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 77.0 A 80.0 A 80.0 A
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 107 W 300W (Tc) 165W (Tc)
输入电容 5.34 nF - 7.77 nF
栅电荷 103 nC - 170 nC
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 77.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 51 ns 85.0 ns 49 ns
输入电容(Ciss) 5335pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 13060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 165 W
下降时间 51 ns - 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 107W (Tc) 300W (Tc) 165W (Tc)
封装 TO-263-3-2 TO-262-3 TO-263-3-2
长度 10 mm - -
宽度 9.25 mm - -
高度 4.4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free