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SPI80N06S-08概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

SPI80N06S-08中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 3.66 nF

栅电荷 187 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 3660pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPI80N06S-08

型号： SPI80N06S-08

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPI80N06S-08

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPI80N06S-08 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
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