对比图
型号 SPI80N06S-08 STB85NF55T4 STB140NF55T4
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-262-3-1 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
输入电容 3.66 nF - -
栅电荷 187 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 40.0 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 3660pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 0.0062 Ω 0.0065 Ω
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源击穿电压 - 55 V 55.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
上升时间 - 100 ns 150 ns
额定功率(Max) - - 300 W
下降时间 - 35 ns 45 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-262-3-1 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17