对比图
型号 SPI80N06S-08 STB85NF55LT4 STB140NF55T4
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorN沟道55 V ， 0.0060 Ω ， 80 A ， TO- 220 ， D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55 V, 0.0060 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK STripFET™ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-262-3-1 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 8.00 mΩ 0.0065 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0 V 55.0 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 - - 150 ns
输入电容(Ciss) 3660pF @25V(Vds) 4050pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 - - 45 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
输入电容 3.66 nF 3.70 nF -
栅电荷 187 nC 150 nC -
长度 - - 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
封装 TO-262-3-1 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17