SPI80N06S2-08参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SPI80N06S2-08概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

SPI80N06S2-08中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 215W Tc

输入电容 3.80 nF

栅电荷 96.0 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 3800pF @25VVds

耗散功率Max 215W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： SPI80N06S2-08

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor