SI1023X-T1-GE3

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SI1023X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -350 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SC-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1023X-T1-GE3
型号: SI1023X-T1-GE3
描述:VISHAY  SI1023X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, SC-89

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