SI4214DDY-T1-GE3

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SI4214DDY-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.

.
Halogen-free
.
TrenchFET® power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 N-沟道 30 V 0.0195 Ohm 5 W 表面贴装 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A


Newark:
# VISHAY  SI4214DDY-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.5 A, 30 V, 19.5 mohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**DUAL 30V 9A 19mOhm SO-8 **


SI4214DDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0195 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.50 A

输入电容Ciss 660pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI4214DDY-T1-GE3
型号: SI4214DDY-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI4214DDY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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