对比图
型号 SI4214DDY-T1-GE3 SI4920DY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3
描述 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI4920DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 6.9A, 整卷VISHAY SI4804CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 18 mohm, 10 V, 2.4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0195 Ω 25 mΩ 0.018 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel, N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 3.1 W
阈值电压 2.5 V 1 V 2.4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 - - 13 ns
下降时间 - - 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
连续漏极电流(Ids) 8.50 A 6.90 A -
输入电容(Ciss) 660pF @15V(Vds) - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 2000 mW - -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -