对比图
型号 DMN3033LSD SI4214DDY-T1-GE3
描述 DIODES INC. DMN3033LSD 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1 VN 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 N沟道MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC-8
漏源极电阻 0.022 Ω 0.0195 Ω
极性 N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W
阈值电压 1 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.9A 8.50 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 8
输入电容(Ciss) - 660pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) - 2000 mW
封装 SOIC SOIC-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active -
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
军工级 Yes -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99